VietBF - View Single Post - Toshiba sản xuất bộ nhớ Flash NAND cỡ si�u nhỏ

tonny_thuong · 02-24-2012

Toshiba sản xuất bộ nhớ Flash NAND cỡ si�u nhỏ

Ng�y 23/2, tập đo�n Toshiba đ� c�ng bố bước đột ph� trong c�ng nghệ flash NAND, với sản phẩm mới hội tụ những ưu thế quan trọng về hiệu suất v� mật độ nhớ.

Trong thế hệ 19 nanomet (nm), Toshiba đ� ph�t triển chip 128 gigabit (Gb) 3 bit/cell, với k�ch cỡ khu�n nhỏ nhất thế giới l� 170mm2, v� tốc độ ghi nhanh nhất 18 MB/s trong số c�c thiết bị 3 bit/cell.

Ảnh minh họa. Ảnh: thefutureofthings.co m.Loại chip mới đ� được Toshiba đưa v�o sản xuất h�ng loạt từ đầu th�ng n�y.

Trước đ�, v�o ng�y 22/2, Toshiba v� đối t�c c�ng nghệ SanDisk từng c�ng bố những tiến bộ c�ng nghệ quan trọng của họ tại Hội nghị Mạch B�n dẫn Quốc tế (ISSCC) tại San Francisco, California.

C�c nh� sản xuất bộ nhớ flash NAND phải đ�p ứng y�u cầu tăng mật độ nhớ với mức gi� cạnh tranh cho c�c sản phẩm như bộ nhớ USB v� thẻ nhớ. Toshiba đ� đạt được cả 2 yếu tố th�ng qua ứng dụng c�c c�ng nghệ đột ph� của m�nh.

Thiết bị thế hệ 19nm 3 bit/cell mới sử dụng thuật lập tr�nh 3 bước v� c�ng nghệ khoảng kh�ng cho c�c tranzito, gi�p giảm điểm nối giữa c�c khối nhớ xuống c�n 5%, đạt tốc độ ghi 18 MB/s.

Toshiba cũng đ� tối ưu h�a cấu tr�c mạch ngoại vi của chip, đảm bảo giảm tới 20% diện t�ch so với c�c d�ng chip hiện tại. Nhờ thế m� chip mới của Toshiba c� k�ch thước khu�n chỉ 170 mm2, nhỏ nhất thế giới ở mật độ chip tương ứng.

Hiện nay, Toshiba v� SanDisk tiếp tục duy tr� vị thế dẫn đầu của hai h�ng trong lĩnh vực ph�t triển v� sản xuất bộ nhớ flash NAND ti�n tiến. Toshiba cam kết sẽ th�c đẩy qu� tr�nh ph�t triển c�c c�ng nghệ ưu thế của m�nh để mở rộng phạm vi ứng dụng v� thị trường bộ nhớ flash NAND.

theo itc

02-24-2012	#1
tonny_thuong R10 V� Địch Thi�n Hạ Join Date: Feb 2008 Posts: 61,375 Thanks: 0 Thanked 0 Times in 0 Posts Mentioned: 0 Post(s) Tagged: 0 Thread(s) Quoted: 0 Post(s) Rep Power: 79	Toshiba sản xuất bộ nhớ Flash NAND cỡ si�u nhỏ Toshiba sản xuất bộ nhớ Flash NAND cỡ si�u nhỏ Ng�y 23/2, tập đo�n Toshiba đ� c�ng bố bước đột ph� trong c�ng nghệ flash NAND, với sản phẩm mới hội tụ những ưu thế quan trọng về hiệu suất v� mật độ nhớ. Trong thế hệ 19 nanomet (nm), Toshiba đ� ph�t triển chip 128 gigabit (Gb) 3 bit/cell, với k�ch cỡ khu�n nhỏ nhất thế giới l� 170mm2, v� tốc độ ghi nhanh nhất 18 MB/s trong số c�c thiết bị 3 bit/cell. Ảnh minh họa. Ảnh: thefutureofthings.co m.Loại chip mới đ� được Toshiba đưa v�o sản xuất h�ng loạt từ đầu th�ng n�y. Trước đ�, v�o ng�y 22/2, Toshiba v� đối t�c c�ng nghệ SanDisk từng c�ng bố những tiến bộ c�ng nghệ quan trọng của họ tại Hội nghị Mạch B�n dẫn Quốc tế (ISSCC) tại San Francisco, California. C�c nh� sản xuất bộ nhớ flash NAND phải đ�p ứng y�u cầu tăng mật độ nhớ với mức gi� cạnh tranh cho c�c sản phẩm như bộ nhớ USB v� thẻ nhớ. Toshiba đ� đạt được cả 2 yếu tố th�ng qua ứng dụng c�c c�ng nghệ đột ph� của m�nh. Thiết bị thế hệ 19nm 3 bit/cell mới sử dụng thuật lập tr�nh 3 bước v� c�ng nghệ khoảng kh�ng cho c�c tranzito, gi�p giảm điểm nối giữa c�c khối nhớ xuống c�n 5%, đạt tốc độ ghi 18 MB/s. Toshiba cũng đ� tối ưu h�a cấu tr�c mạch ngoại vi của chip, đảm bảo giảm tới 20% diện t�ch so với c�c d�ng chip hiện tại. Nhờ thế m� chip mới của Toshiba c� k�ch thước khu�n chỉ 170 mm2, nhỏ nhất thế giới ở mật độ chip tương ứng. Hiện nay, Toshiba v� SanDisk tiếp tục duy tr� vị thế dẫn đầu của hai h�ng trong lĩnh vực ph�t triển v� sản xuất bộ nhớ flash NAND ti�n tiến. Toshiba cam kết sẽ th�c đẩy qu� tr�nh ph�t triển c�c c�ng nghệ ưu thế của m�nh để mở rộng phạm vi ứng dụng v� thị trường bộ nhớ flash NAND. theo itc